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英特尔正式宣布收购高塔半导体

2月15日，英特尔正式宣布将以每股 53 美元的现金收购以色列芯片公司 Tower Semiconductor Ltd.（高塔半导体），总计54 亿美元，此次收购显著推进了英特尔的 IDM 2.0 战略。

据了解，高塔半导体位于以色列北部拿撒勒附近的 Migdal HaEmek，生产的半导体和电路用于从汽车和消费品到和工业设备的所有领域。据其网站称，它在以色列、加利福尼亚、德克萨斯和日本设有制造工厂。

英特尔CEO Pat Gelsinger 表示：“高塔半导体的技术组合、地理覆盖范围、深厚的客户关系和服务至上的运营将有助于扩展英特尔的代工服务，并推动我们成为主要代工产能供应商的目标。这笔交易将使英特尔能够在成熟节点上提供令人信服的前沿节点和差异化技术——在半导体需求的时代为现有和未来客户开启新机遇。”

高塔半导体CEO Russell Ellwanger 表示，“与英特尔一起，我们将推动新的有意义的增长机会，并通过全套技术解决方案和节点以及大幅扩大的制造足迹为我们的客户提供更大的价值。我们期待成为英特尔代工产品不可或缺的一部分。”

据了解，该交易预计将在大约 12 个月内完成，它已获得英特尔和高塔半导体董事会的一致批准，并需获得某些监管批准和惯例成交条件，包括高塔半导体股东的批准。

GaN功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元

电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子（Heraeus Electronics ），已加入美国电力研究所(PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。

Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场，降低与新一代技术相关的成本和风险因素。

11月，加拿大公司GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化(GaN)晶体管产能达成协议，其产量预期能确保该车厂的供应链稳定。

该公司执行官Jim Witham在接受访问时表示，GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。

后，GaN技术本身也在不断取得突破。8月，Novel Crystal Technology, Inc宣布已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。

在异常耀眼的手机快充之外，GaN也开始渗透进电动车、无线充电、5G基础设施等领域，而SiC等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以，与其他第三代材料构成竞争或互补的关系，将是GaN未来几年的发展走向。

特斯拉柏林工厂开始两班制生产以提高产量

近日，据外媒消息，特斯拉已在其柏林超级工厂启动了第二个班次。在特斯拉汽车需求不断增长的情况下，柏林新工厂开始两班制生产将有助于提高产量。

此前，报道称，由于疫情导致的“零部件供应中断”，该厂的产量增速低于预期，但目前情况已开始好转。

德国柏林的工厂在3月22日正式启用，这是特斯拉在欧洲的电动汽车工厂。当日，特斯拉执行官埃隆·马斯克还在柏林工厂向用户交付了首批柏林工厂制造的SUV车型Model Y。有分析认为，特斯拉将成为大众、奔驰等德国汽车制造商在电动汽车领域的主要竞争对手，或将迫使德国汽车业加速转型。

特斯拉表示，这家位于柏林的工厂计划终雇佣12000人，完全投产后将年产50万辆电动汽车。