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柔性薄膜晶体管的大面积光子剥离工艺

在塑料上制造柔性电子产品通常受到聚合物基板尺寸稳定性差的限制。为了减轻影响，在制造过程中使用了玻璃载体，但在不损坏电子设备的情况下从载体上移除塑料基板仍然具有挑战性。在这里，我们利用大面积、高通量光子剥离 (PLO) 工艺将聚合物薄膜与刚性载体快速分离。PLO 使用来自闪光灯的 150 μs 宽带光脉冲从涂有光吸收层 (LAL) 的玻璃载体基板上剥离功能性薄膜。建模表明聚合物/LAL 界面在 PLO 期间达到 800 °C 以上，但 PI 的顶面保持在 120 °C 以下。在聚酰基板上制造铟锌氧化物 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 阵列，并以光子方式从玻璃载体上剥离。PLO 未改变 TFT 迁移率。柔性 TFT 机械坚固，弯曲时不会降低移动性。

中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述

“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种***电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“

Q4消费类MLCC或严重供过于求,出货率降至近16%。

近日，市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，上半年三大黑天鹅直接打乱MLCC供应链上下游的生产与供货步调，下半年消费规产品预计到第4季将严重供过于求，MLCC供应商为强化企业韧性，转向锁定电动车与储能快充市场。

陈惟圣指出，受到三大黑天鹅笼罩，冲击下半年消费旺季的表现，但车用、高速运算、网通设备、工业自动化、储能设备受惠碳中和及数字升级需求，下半年可预见产业需求置换的趋势陆续显现，这就是所谓的消费需求走缓，工业需求走升的现象。

陈惟圣观察，半导体IDM厂受到消费产品IC需求减少，逐渐将产能移转到车用、服务器及网通应用，让长期困扰许久的半导体短缺问题获得纾解，但受到终端需求疲弱影响，大胆预估下半年MLCC产业仍旧无法摆脱三大黑天鹅的干扰，甚至将面对库存去化时间拉长的问题。