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发布时间:2022-09-05 21:24:00 作者:同创芯
2SA1943 PNP 功率晶体管:引脚配置及其应用
什么是 2SA1943 PNP 功率晶体管?
2SA1943 PNP 功率晶体管在放大器设计中起着关键作用。通常,大多数放大器都使用与 B 类放大器相同的推挽电路。该放大器可以用两个晶体管构建,如 PNP 和 NPN,其中 2SA1943 晶体管为 PNP 型,2SE5200 晶体管为 NPN 型。因此经常将两个晶体管的组合一起使用来设计大功率放大器。
2SA1943 PNP 功率晶体管
这种功率晶体管采用半导体材料设计,一般至少有三个端子,用于连接外部电路。一旦将电流或电压施加到该晶体管的一对端子上,它就会控制另一对端子中的电流流动,因为输出功率高于输入功率。
当这些晶体管以高集电极电流和大开关频率工作时,它们会很快发热。所以使用散热器来避免这个散热问题。这些 PNP 功率晶体管用于设计功率为 200W 或以上、频率范围为 5Hz 至 100 kHz 和 0.75Vrms 灵敏度的立体声系统。较低的信噪比和总谐波失真将使该晶体管可用于基于音频的应用。
如何使用 2SA1943 PNP 功率晶体管?
该电路的设计非常简单,使用三个晶体管可以驱动 600W RMS 低音炮扬声器。该电路的测试可以通过两个阶段来完成,其中阶段使用 24V 的非对称电源,第二阶段使用 30V 的非对称电源。
在哪里使用/应用所述的2SA1943 PNP功率晶体管的应用包括以下内容。
l 2SA1943 PNP 功率晶体管在放大器设计中起着重要作用
l 大多数放大器使用推挽电路,类似于同时使用 PNP 和 NPN 晶体管的 B 类放大器。这里,NPN 晶体管是 2SE5200,而 NPN 是 2SA1943。
l 因此,在高功率放大器中,2SE5200 和 2sa1943 晶体管经常一起使用。
l 这些晶体管用于立体声系统。
l 该晶体管用于音频放大器
l AF 或 RF 电路
l 用于较低压摆率的设备
l 用于基于推挽配置的电路
l 高达 15A 的大电流开关负载
l 它可以用作中等功率开关
l 它用于需要大电流的开关电路。
l 用作中间电源开关。
因此,2sa1943晶体管是由东芝设计的,功耗大,增益电流大,用于AF放大器和音频电路。2SA1943 和 2SC5200 晶体管之间的主要区别是;2SA1943 是 PNP 晶体管,它与 NPN 2SC5200 互补,其中 2SC5200 NPN 晶体管的集电发射电压为 230V。
了解 LM358 IC 及其应用|广州同创芯
IC或集成电路是一个小小的黑芯片,它是现代电子学的根基,也是许多电子电路中的元件。集成电路的应用涉及到每一个电子线路板、嵌入式系统和各种电子项目。集成电路是一组各种电气和电子元件,如电阻器、电容器、晶体管。所有这些组件都集成在单个芯片上。
LM358 IC 是一款出色、低功耗且易于使用的双通道运算放大器 IC。它是由国家半导体设计和推出的。它由两个内部频率补偿的高增益独立运算放大器组成。该 IC 专为在较宽的电压范围内使用单一电源工作而设计。LM358 IC 采用芯片尺寸封装,该运算放大器的应用包括传统运算放大器电路、直流增益块和传感器放大器。LM358 IC 是一款的标准运算放大器,适合您的需求。它可以处理 3-32V DC 电源和每通道高达 20mA 的电源。如果您想为单个电源运行两个独立的运算放大器,则该运算放大器是合适的。它采用 8 引脚 DIP 封装
关于电子元器件分销商广州同创芯
广州同创芯是一家 b2b 电子合同制造商,拥有多家电子元件采购点。我们可以以优惠价格寻找和采购混合电子元件和 IC,并满足的客户需求。无论您想要什么组件,无论数量多少,您都可以从同创芯以合理的价格和可追溯的质量购买。
现货库存型号:ATTINY1616-MNR、LAN9500AI-ABZJ-TR、IPP086N10N3G 、IRF530NPBF、PIC16LF15386-I/PT、S9S12G48F0MLFR、LM26480SQ-AA//PB、AD8607ARZ-REEL7、ADUM1200CRZ-RL7A、DM2582EBRWZ-REEL7、DS1390U-33+TR、NCP1399ACDR2G、NCL2801CDADR2G、TL594CDR、DS90UB947TRGCRQ1、NCP3231AMNTXG 、BQ40Z50
半导体的性能|广州同创芯
金属导体的电导率一般在105s/cm量级;塑料、云母等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级;半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级。
半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间,但半导体的应用却极其广泛,这是由半导体的性能决定的:
光敏性——半导体受光照后,其导电能力大大增强
热敏性——受温度的影响,半导体导电能力变化很大;
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质,其导电能力极大地增强;
半导体材料的性能是由其内部的导电机理所决定的。
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