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2SA1943 PNP 功率晶体管：引脚配置及其应用

什么是 2SA1943 PNP 功率晶体管？

2SA1943 PNP 功率晶体管在放大器设计中起着关键作用。通常，大多数放大器都使用与 B 类放大器相同的推挽电路。该放大器可以用两个晶体管构建，如 PNP 和 NPN，其中 2SA1943 晶体管为 PNP 型，2SE5200 晶体管为 NPN 型。因此经常将两个晶体管的组合一起使用来设计大功率放大器。

2SA1943 PNP 功率晶体管

这种功率晶体管采用半导体材料设计，一般至少有三个端子，用于连接外部电路。一旦将电流或电压施加到该晶体管的一对端子上，它就会控制另一对端子中的电流流动，因为输出功率高于输入功率。

当这些晶体管以高集电极电流和大开关频率工作时，它们会很快发热。所以使用散热器来避免这个散热问题。这些 PNP 功率晶体管用于设计功率为 200W 或以上、频率范围为 5Hz 至 100 kHz 和 0.75Vrms 灵敏度的立体声系统。较低的信噪比和总谐波失真将使该晶体管可用于基于音频的应用。

雪崩光电二极管：工作原理及其应用

雪崩光电二极管结构PIN 

光电二极管和雪崩光电二极管的结构相似。该二极管包括两个重掺杂区和两个轻掺杂区。这里，重掺杂区域是 P+ 和 N+，而轻掺杂区域是 I&P。

在本征区中，与 PIN 光电二极管相比，该二极管的耗尽层宽度相当薄。此处，p+ 区的作用类似于阳极，而 n+ 区的作用类似于阴极。

与其他光电二极管相比，该二极管在高反向偏置条件下工作。因此，这允许通过光撞击或光子形成的电荷载流子雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。

这种二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。

华为正在搭建45nm芯片工厂|广州同创芯

根据国外机构了解到，华为目前在深圳正在筹建自己的芯片工厂，该技术由华为内部进行研发和运营，采取的是与国内机构技术分工合作的模式，目前步要发展的是45纳米的制程工艺。

并且，计划在2021年底实现28纳米芯片的生产。因为28纳米，可以生产出符合物联网设备需要的芯片。2022年华为要实现能够生产20纳米的芯片。因为20纳米的芯片可以满足5G的搭建要求。

虽然华为没有公布这一消息，但是从华为的招聘信息上可以看出，华为正在芯片制造方面展开人才布局，而且招聘规模很大。

AMSL对中国销售700台光刻机

近AMSL的副总裁沈波公开接受媒体采访，其中就提到一点：目前已经有700多台光刻机销往中国，而且已经完成了装机。

先不说这700台光刻机的工艺如何，700台光刻机进入中国，一方面可以提高国内芯片的自制率，另一方面，可以吸纳和培养更多的芯片设计制造等人才。

这些人才，如果从现在的十几万，变成几十万，再增加到上百万，中国的半导体设计和制造业成为国际，指日可待！

碳化硅 （SiC） MOSFET 性能优势： 

1. 碳化硅器件的结构和特点

2. 碳化硅氧化物的电阻

3. Vd - Id 属性

4. 驱动栅极电压和导通电阻

5.体二极管Vf和反向传导

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