原厂授权TI全线产品，尽在同创芯电子打样-同创芯现货

美光披露了其DRAM未来技术路线图

2021年10月，美光宣布将在日本广岛现有工厂附近建设新工厂，总投资约8000亿日元。日本当地媒体《日经产业新闻》报道称，新工厂将于2024年投产，主要生产广泛应用于数据中心的DRAM芯片，日本可能会以补贴的形式提供一些帮助。美光作为的DRAM厂商，目前已出货1 DRAM产品。在今年5月举行的投资者日上，美光披露了其DRAM未来技术路线图。

根据的技术路线图，美光将继续在DRAM领域发展1、1和1工艺。美光计划在2022年底前推出1 DRAM产品，将为图形、HBM3、汽车等领域提供良好的性能。美光希望通过1 DRAM产品不断提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。

美制裁俄波及韩半导体，韩国与美洽谈盼豁免

韩国高贸易官员周一（28日）表示，将与美国密切磋商，以获得近期扩大对俄罗斯制裁的豁免，减少对当地企业和经济的影响。

《韩联社》报道，为了制裁俄罗斯，美国透过扩大外国直接产品规定（FDPR）实施范围管制，商品想出口到俄国，须获得美国的许可，目的是为了阻止俄罗斯获得高科技产品如半导体以及汽车业。

然而，上海原厂授权TI全线产品，尽在同创芯电子，这项措施已冲击到主要的韩国出口商，包括三星电子、SK海力士和现代汽车。韩国贸易部长吕汉辜（Yeo Han-koo）表示，将在本周与美国进行磋商，希望能商讨豁免方案，降低对国内经济的冲击。

《BusinessKorea》报道，目前韩国半导体、石化以及汽车业正处于戒备状态，尤其是半导体产业，由于其生产所需的、和氙等惰性气体有将近50%的进口仰赖乌克兰与俄罗斯。

据韩国贸易工业和能源部（MOTIE）表示，该国半导体业已开始储备库存。此外，芯片制造商还必须为长期对俄国经济制裁做好出口损失的心理准备。

此外，国际油价飙升也冲击石化产业，目前韩国国内石油库存虽不紧迫，然而，若俄罗斯进口持续受阻，韩国恐难以找到替代的进口线，目前该国密切关注核谈判进展，希望能恢复自伊朗进口石油。

另外，汽车业也受到俄乌影响，韩国对俄罗斯零件出口占40.6%；对乌克兰出口也占21.7%，出口比重不低，随着当局决定加入对俄制裁，预估对这些行业的损失将进一步增加。

第二代3nm工艺初步生产，已有客户订购产能

今日（6月30日），三星通过其公众号“三星半导体和显示”宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产，首先将应用于、低功耗计算领域的半导体芯片，原厂授权TI全线产品，尽在同创芯电子批量库存，并计划将其扩大至移动处理器领域。

与三星5nm工艺相比，三星代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，原厂授权TI全线产品，尽在同创芯电子促销价格，芯片面积减少16%；三星表示，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

至于3纳米客户方面，原厂授权TI全线产品，尽在同创芯电子打样，有媒体报道称，消息人士透露，三星称已经有客户订购产能，包括虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi)，以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等，不过高通将视情况进行投片。

从时间节点来看，三星3纳米技术量产时间确实台积电。